日本的一个研究小组通过纳米片构造块的逐层组装成功开发了室温多铁性材料。预计多铁材料将在下一代多功能电子设备的开发中发挥至关重要的作用。

美国国家材料科学研究所（NIMS）国际材料纳米建筑学中心（MANA）的首席研究员小田Min（Minoru Osada）和佐佐木隆吉（Takayoshi Sasaki）研究员领导的研究小组通过纳米片结构块的逐层组装成功开发了室温多铁性材料中国建材网cnprofit.com。 

预计多铁材料将在下一代多功能电子设备的开发中发挥至关重要的作用。

新的多铁性材料或同时显示铁电性和铁磁性性的材料的设计对于新的电子技术至关重要。

但是，在单个化合物中室温下铁电和磁序并存的情况很少，而且只有通过复杂的技术（例如脉冲激光沉积和分子束外延）才能制成具有这种多铁性性质的异质结构。

为了开发室温多铁性金属，该研究小组将一种新的化学设计用于人造多铁性薄膜，其中使用了二维氧化物纳米片作为构建基块。

这种方法能够工程化铁磁和铁电有序之间的层间耦合，正如由铁磁Ti0.8Co0.2O2纳米片和介电钙钛矿结构的Ca2Nb3O10纳米片组成的人工超晶格所证明的。

（Ti0.8Co0.2O2 / Ca2Nb3O10 / Ti0.8Co0.2O2）超晶格在室温下表现出多铁性作用，可以通过调节层间耦合（即堆叠顺序）来调节。

这项研究为创建具有定制多铁性性质的新型人造材料开辟了道路。

此外，室温多铁纳米膜的成功开发可能会利用其多功能性和低电压操作优势，将其应用于新的存储设备。